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製品情報

厚膜回路形成

厚膜回路形成

    導電性ペーストを始めとする各種厚膜材料を表面メタライズしたセラミック基板を提供致します。また、鋼製部材や仕様はご要求に応じて対応させていただきます。

仕様

製品 基材 導体物性
材料 サイズ 厚み L/S 膜厚 比抵抗 メッキ後密着性 メッキ後耐久性
銅ペースト アルミナ、 窒化アルミ
その他の材質はご相談
50~114mm口 0.2mm~ ≧ 125/125μm 10~100μ
100μ以上はご相談
2.5~ 4.0μΩcm ≧ 1.5kgf/ 2mm□
ピール試験により測定
熱衝撃試験1000サイクル後も 膜剥離無し
1サイクル:-40℃(30分) 125°C(30分)
活性金属
ペースト
アルミナ、 窒化アルミ、窒化珪素
その他の材質はご相談
≧ 200/200μ 50~100μ
100μ以上は超厚膜回路形成へ
4.0~8.0 μΩcm ≧ 2.5kgf/2mm□
ピール試験により測定
熱衝撃試験3000サイクル後も 膜剥離無し
1サイクル-45℃(30分)
150°C(30分)
銀ペースト アルミナ、 窒化アルミ、ガラス
その他の材質はご相談
≧ 100/100μm 5~20μm 2.0~4.0
μQcm
≧4.0kgf/ 2mm□
ピール試験により測定
熱衝撃試験1000サイクル後も 膜剥離無し
1サイクル-40℃(30分)

125°C(30分)
※ 標準のメッキ仕様は無電解Ni/Pd/Auメッキです。 ワイヤーボンディング可能です。


製品  基板 抵抗体物性
材質 サイズ 厚み 膜厚 シート抵抗 耐久性
CuNi系抵抗体 アルミナ
その他の材質はご相談
口50~114mm  0.2mm~ 10~30μm 10mΩ~ 10Ω/口
膜厚20μmt時
熱衝撃試験1000サイクル後も膜剥離無し
1サイクル:-40°C(30分) 155°C(30分)
LaB6系抵抗体 アルミナ、 窒化アルミ
その他の材質はご相談
3Ω~ 1kΩ/口
膜厚20μmt時 

特長

・アルミナ基板、窒化アルミニウム基板に対応可能です。
・メタライズ加工以外にもメッキやレジスト形成等が可能です。
・弊社ビア充填技術と組み合わせることで、高品質の両面導通加工が可能です。
・鉛(Pb)等の環境負荷物質を含みません。

実績・想定用途

実績
・チップ抵抗器、内部電極形成
・LED実装回路パッケージ基板、電極形成
想定用途
・冷熱モジュール(ペルチェ)、内部電極