Products製品情報
特長
- 最大膜厚:0.8mmt;最小パターン間隔:0.3mm
- 窒化ケイ素、窒化アルミニウム、サファイヤ、アルミナ等に対応可能です。
- AMB基板同等の信頼性を有します。
基板構成
構成図

①活性金属接合層
②銅層
断面画像

活性金属ペーストを接合層に用いた銅ペースト超厚膜(300μm)焼成基板接合面の断面SEM画像
仕様
項目 | 参考規格 | 備考 | |
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基材 | 材質 | 窒化アルミ(AlN)、アルミナ(Al2O3)、窒化ケイ素(SiN) | その他の材質はご相談ください |
サイズ | 50~114mm□ | - | |
厚み | 0.2mm~ | - | |
導体物性 | L/S | ≧200/200μ | - |
膜厚 | 100~500μ | 500μ以上はご相談ください | |
比抵抗 | 2.5~4.0μΩ㎝ | - | |
メッキ前密着性 | ≧3.0kgf/2mm□ | ピール試験により測定 | |
メッキ後密着性 | ≧2.5kgf/2mm□ | ||
メッキ後耐久性 | Al2O3:熱衝撃試験 2000cycle以上の耐久 | 1cycle:-45℃(30min)⇔120℃(30min) | |
AlN:熱衝撃試験 1500cycle以上の耐久 | 1cycle:-45℃(30min)⇔120℃(30min) | ||
SiN:熱衝撃試験 3000cycle以上の耐久 | 1cycle:-45℃(30min)⇔150℃(30min) |
想定用途
- パワーデバイス用セラミックス放熱回路パッケージ